بررسی خواص الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک نانومتری اکسید روی (zno)

در این رساله خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه های نازک (100-200 نانومتر) اکسید روی رشد داده شده به روش اسپری مورد بررسی قرار گرفت. برای این لایه نشانی ها از محلول اولیه 2/0 مولار استات روی دوآبه بر روی زیرلایه شیشه در دمای c° 450 با ناخالصی های مختلف آلومینیم، گالیم و ایندیوم با درصد های وزنی 1، 2 و 3 استفاده شد. همچنین سعی کردیم تاثیر بازپخت در خلا بر خواص فیزیکی لایه را بیابیم. برای بررسی خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی از دستگاه پراش اشعه x، طیف سنج uv-vis و دستگاه اندازه گیری اثر هال استفاده کردیم. دریافتیم نمونه های رشد داده شده بسبلوری با ساختار ورتزایت و راستای ترجیحی (002) بوده و از عبور نسبتا بالا (%90~) در ناحیه مرئی برخوردارند. بررسی ما در مورد نمونه خالص نشان داد که برای این لایه اندازه بلورکها تقریبا 27 نانومتر، گاف نواری ev 27/3 و دنباله نواری mev 119 است. در نمونه های آلایش شده وابسته به نوع ناخالصی، لایه های با 1 درصد وزنی آلومینیم، 2 درصد گالیم و 2 درصد ایندیوم بالاترین ضریب بهینگی را در بین سایر نمونه های گروه خود دارند. نتایج آزمایشگاهی همچنین نشان داد که بازپخت سبب پایین آمدن عبور اپتیکی، گاف نواری و مقاومت شده اما تمایل به افزایش دنباله نواری و ضریب بهینگی دارد